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LED光源的发光原理

Source:www.wj-fuxing.com Publication time:2016-01-29

      LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs 、GaP 、GaAsP 等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-V特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。

               

      在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子 一部分与多数载流子 复合而发光。 假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。
      除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心 捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
       希望以上言论能让您有所了解,欢迎您来电咨询。

  

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